QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V
QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V
QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V
QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V
QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V
QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V

QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V

Артикул:QUM3U-4G1600C11L
Код товара:626369400
К сравнению
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):4
Количество чипов на модуле:8
Габариты (мм):-
масса(кг):0.024
Расширенная операционная температура (Tcase):-
rusName:[Модуль памяти] QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600C(N)11L 1.35V
Потребление энергии:-
Линейка:-
Под заказ (запрашивайте)
1 260 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
1c74d39a877711fde8941c70ef2690d4
Описание
Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Память Qumo QUM3U-4G1600C11L обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками, а также многие другие задачи. Оперативная память Qumo QUM3U-4G1600C11L обладает следующими основными параметрами: частота - MHz; Объем - МБ.
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
масса(кг)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
ширина(см)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
длина(см)
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
название
Напряжение (В)
RAS to CAS Delay (tRCD)
GTIN
высота(см)
Тайминги
Тип оборудования
gtdNumber
Чип
Частота (MHz)
Поддержка Reg